RTP管式炉RTP-1000-LV3F具有三通道流动混合功能,专为退火半导体晶片、太阳能电池和其他样品(高达3英寸)而设计。它配备了三个流量计和一个机械泵。该机器使用9 kW红外灯加热,最大加热速率为100°C/s。它还具有RS485接口,允许通过计算机上的软件进行操作控制和温度曲线显示。
4英寸高真空RTP炉OTF-1200X-4-RTP-HV是一种紧凑型快速热处理管式炉,配备4英寸石英管和高真空系统(机械泵+分子泵)。它是专门为半导体或太阳能电池晶片(最大3英寸)的退火而设计的。
可滑动RTP炉OTF-1200X-4-RTP-SL是一种利用红外灯加热和可移动炉体快速冷却的快速热处理炉,最大加热速率为100°C/s,冷却速率为5°C/s。
紧凑型1000℃RTP炉OTF-1200X-4-RTP是一种光滑的快速热处理管式炉,配备4英寸石英管和真空法兰,专为半导体或太阳能电池晶片(最大3英寸)的退火而设计。
OTF-1200X-S-DVD是一种紧凑型可移动坩埚管炉,利用磁铁驱动坩埚移动。该设备的管径为50mm,最高工作温度为1200℃,专为直接蒸发沉积或快速热处理实验而设计,特别适用于二维材料的生长。
OTF-1200X-IR-IISL是一款RTP管式炉,配备双区红外加热4英寸内径石英管和两个滑动样品架,适用于实验室使用,结构紧凑,操作简单。它能够实现50°C/s的最大加热速率和117°C/min的冷却速率。
RTP-M1是一款台式超快热压炉(UFTP),加热速度超过2000C/分钟,在可选择的自重和受控气氛下最高可达2900°C。 它是一种在快速过热条件下研究半导体材料性能的经济高效的工具。它也可以用作RTP退火炉或改装成CSS薄膜涂布机。
RTP-MS是一种超快加热压制炉(UHP),加热速度超过200℃/分钟,最高可达2900℃,最大负载为500公斤,位于不锈钢沉淀制成的超高真空室内。该炉可以以低成本代替SPS用于小样品。
RTP炉
OTF-1200X-RTP-II-CSS-300是一种先进的快速热处理(RTP)炉,专为在最高950°C的工作温度下涂覆高达12英寸晶圆的CSS(近空间升华)薄膜而设计。
GSL-1500X-50RTP是一种可滑动管式炉,采用50毫米外径x 44毫米内径x 304.8毫米(12英寸)长的莫来石或石英管(一端封闭)。该炉的最高工作温度为1500ºC。法兰右侧安装有滑轨,可手动将其从一侧移动到另一侧,可实现高达1500°C的快速加热和冷却。
OTF-1200X-RTP-5S是一种5英寸的滑动炉,带有电阻加热和电动滑动电机,用于快速加热和冷却。它能够实现每秒2°C/4°C的最大加热冷却速率,并将最大直径为4英寸的晶片退火至1200°C。
OTF-1200X-SL是一种单温区快速热处理电滑动炉。它的最大加热速率为10℃/min,底部装有滑轨,使炉子可以从管子的一侧滑动到另一侧,以快速加热和冷却。该炉也可用于石墨烯和碳纳米管的CVD生长。它使用触摸屏和PLC控制,可以调节速度。
双滑动RTP管式炉
双区RTP管式炉
自动滑动RTP管式炉
OTF-1200X-50-DFSL是一个由两个Ø50 mm炉组成的系统,最高工作温度为1200ºC。它被设计用于生长2D过渡金属二硫化物(TMD)。
OTF-1200X-RTP-4-SL是一种RTP(外径4英寸)炉,具有红外光加热和滑动冷却功能。它能够实现最大加热速率>50°C/s和冷却速率>10°C/s。该炉专为通过CVD生长石墨烯和碳纳米管而设计。
OTF-1200X-DVD-M是一种可分体式管式炉,具有坩埚滑动功能(手动推动),可在高真空或气密气氛中使用,最高温度为1200°C。真空密封手动推坩埚由磁耦合真空推系统实现。该设备可在各种气氛下进行钛板退火处理、快速热处理、HPCVD、快速热蒸发(RTE)和直接气相沉积(DVD)。
OTF-1200X-80-DVD是一种1200ºC、外径80 mm的管式炉,坩埚内有气密自动滑动机构,可以在受控气氛下移动到所需的温度位置作为升华源,实现炉中心基板的DVD或PVD。
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